军工半导体交叉赛道爆发，振华科技成自主可控核心标的

军工半导体交叉赛道分析报告指出，振华科技凭借IGBT芯片、LTCC材料等核心技术，在航天电源模块、雷达系统等领域实现突破。其第六代IGBT对标国际巨头，LTCC材料已批量应用于国产雷达，预计未来三年军工订单复合增长率超35%。政策支持与国产替代需求推动其成为自主可控核心标的，但需警惕技术迭代和地缘政治风险。