北方华创技术突破 加速国产存储自主可控
2025-11-22
北方华创获得半导体叠层结构刻蚀方法专利
其LPCVD设备在长江存储232层NAND产线实现量产,覆盖率达30%
这些突破推动国产存储技术进步,为自主可控奠定基础。
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