【观点】PPPL突破使二维半导体量产进程加速,北方华创等设备商受益
DEEPTOPIC · 深度研究
2026-06-22
美国PPPL实验室今日在《物理化学快报》发表研究,利用氧/氟等离子体预处理将MoS₂接触电阻降低5-10倍,解决了二维半导体量产前最大瓶颈。该工艺兼容现有芯片厂等离子体设备,无需改造产线。北方华创因产品线覆盖ICP/CCP刻蚀、PECVD和ALD,被列为边际受益最大的设备商之一。产业界未来12-18个月内将验证该技术,二维半导体从远期概念进入有明确路标的早期主题。
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