【观点】银河研报解析半导体板块动态并提及北方华创技术突破

中国银河发布电子行业研究报告，指出上周半导体板块缩量走低。报告提及北方华创近期在IEEE刊发论文，公布了3D DRAM两步循环刻蚀工艺技术突破，该技术有望助力长鑫存储绕开EUV限制，推动3D DRAM自主量产。同时，报告援引SEMI数据显示，2026Q2全球半导体设备出货额创历史新高，行业保持高景气度。研报整体建议关注低估值低拥挤方向，并指出周末GPT6发布有望对板块形成新一轮催化。