北京君正DRAM/Flash研发进展 多款产品送样及投片

北京君正存储芯片涵盖SRAM、DRAM和Flash三大类，主要面向汽车、工业等市场，车规DRAM、SRAM全球排名前列。2025年上半年研发投入34827.68万元，研发人员760人。产品进展方面，SRAM多款产品客户送样；DRAM领域基于20nm、18nm和16nm工艺的DDR3、DDR4、LPDDR4等研发，部分已送样，今年下半年至明年陆续投片；Flash产品线中1Gb SPI NOR Flash新产品开始送样，512Mb SPI NOR Flash产品逐渐放量，持续研发更多型号。