存储芯片涨价叠加光刻胶放量，上海新阳产能扩张迎机遇

行业层面，DRAMeXchange最新报告预测2026年第一季度DRAM合约价最高涨幅或达50%，同时长鑫科技科创板IPO获受理，国产存储龙头证券化提速，为上游材料供应商带来需求利好。

公司层面，上海新阳光刻胶产品线进展显著：I线、KrF、ArF干法光刻胶已实现批量化销售，ArF浸没式光刻胶也已获得销售订单。此外，公司用于存储芯片蚀刻的核心技术达国际领先水平，蚀刻液销售额持续增长。

公司近期还签订合同，投资18.5亿元建设年产5万吨集成电路关键工艺材料及总部、研发中心项目，预计2027年建成投产，为未来产能扩张奠定基础。