晶盛机电12英寸SiC晶体研发成功，推动国产半导体材料发展

晶盛机电子公司浙江晶瑞成功研发12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶，晶体直径达309mm，攻克温场不均、开裂等核心难题。通过自主研发的单晶生长炉及工艺升级，大幅提升晶圆有效面积，降低芯片成本，推动新能源汽车、光伏储能等领域国产SiC材料应用。