英伟达碳化硅应用落地，晶盛机电技术突破迎增量

英伟达计划在新一代GPU芯片的CoWoS工艺中以碳化硅取代硅中介层，预计2027年导入，SiC凭借高热导率和高工艺窗口可提升散热并缩小封装尺寸，带来碳化硅衬底增量市场需求。晶盛机电已攻克12英寸碳化硅晶体生长核心难题，实现12英寸导电型碳化硅晶体生长技术突破，并积极扩产6&8寸衬底产能。机构维持公司2025—2027年归母净利润预测为10.1/12.5/15.4亿元，当前股价对应动态PE分别为46/37/30倍，维持“买入”评级。