晶盛机电12英寸碳化硅衬底中试线通线 技术领跑

晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC于9月26日实现首条12英寸碳化硅衬底加工中试线通线，完成从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发且100%国产化，标志着公司在全球SiC衬底技术从并跑向领跑迈进，进入高效智造新阶段。公司已攻克12英寸碳化硅晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题，实现12英寸超大尺寸晶体生长技术突破，成功长出12英寸导电型碳化硅晶体。SiC材料凭借高热导率、高工艺窗口等优势，在CoWoS封装（提升散热、缩小尺寸）和AR眼镜镜片（增大FOV、提升散热等）领域具备应用优势。机构维持公司2025-2027年归母净利润预测为10/12/15亿元，对应PE 58/47/38倍，维持买入评级。