【观点】晶盛机电12英寸SiC技术突破与产能加速扩张

第三代半导体行业正从主题投资阶段迈入分化期，企业盈利质量差异显著，8英寸碳化硅量产进度将成为区分龙头与跟随者的关键分水岭。晶盛机电依托自主研发的碳化硅单晶生长炉及持续迭代的8至12英寸长晶工艺，实现12英寸超大尺寸晶体生长技术突破，已建设12英寸碳化硅衬底加工中试线并向下游客户送样验证；子公司晶瑞电子正全面加速年产60万片8英寸SiC衬底项目投产，并启动新一期基础设施建设。

此外，公司还前瞻性布局金刚石材料，称其为“终极半导体”材料，已实现高质量金刚石材料稳定制备并建设大尺寸生产线。

调研显示，晶盛机电的扩产力度和技术储备正在加速拉开与追赶者的差距，深耕主业同时布局下一代材料的战略体现其对技术代际更替的深刻理解。