【经营】公司介绍MOCVD设备技术优势及应用
2026-09-08
公司回复投资者时表示,已开发了4/6/8英寸兼容的行星式MOCVD设备。该设备平台可支持氮化镓、碳化硅等多种材料的外延生长。
设备采用自主优化的温场与流场协同调控技术,实现了高均匀性、低缺陷密度的外延成膜,满足功率、射频、Micro LED及光通信等芯片对外延材料的严苛质量要求。该设备可显著提升单位产能并降低综合使用成本,助力客户实现高效、低成本量产。
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设备采用自主优化的温场与流场协同调控技术,实现了高均匀性、低缺陷密度的外延成膜,满足功率、射频、Micro LED及光通信等芯片对外延材料的严苛质量要求。该设备可显著提升单位产能并降低综合使用成本,助力客户实现高效、低成本量产。
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