南大光电光刻胶突破 大基金增资+存储涨价

2025年10月27日舆情显示，三星、SK海力士等供应链拟Q4上调DRAM和NAND闪存价最多30%；南大光电ArF光刻胶多款产品在90-28nm逻辑及存储芯片验证突破，2024年收入破千万，此前两款已在50nm存储和55nm逻辑节点通过认证并少量销售；控股子公司拟引入大基金二期增资1.833亿元加速该业务产业化；公司系国内MO源领域龙头，技术达国际先进水平。