【观点】半导体光刻胶国产替代细分赛道深度解析：分层突破，KrF放量可期

中研网发布的《半导体光刻胶国产替代细分赛道深度解析（2026年）》指出，2026年光刻胶国产替代已进入分层突破阶段。g/i线光刻胶国产化率超65%，南大光电等企业已实现稳定量产，但该赛道竞争内卷严重；KrF光刻胶是当前最确定的增量赛道，国产化率不足15%，替代空间广阔；ArF光刻胶仍处于送样验证阶段，EUV为远期储备。文章强调产业链一体化将成为核心竞争力。