扬杰科技SiC产品升级 市场份额持续增加

2025年上半年，扬杰科技投资的SiC芯片工厂通过IDM技术，将650V/1200V/1700V的SiC MOS产品从第二代升级到第三代，所有型号覆盖650V/1200V/1700V 13MΩ—500mΩ，第三代SiC MOS平台的比导通电阻（RSP）做到3.33mΩ.cm以下，FOM值达到3060mΩ.nC以下，可对标国际水平。同时，公司在碳化硅尤其是SiC MOS市场份额持续增加，光伏、储能、工业电源等领域是重要出货领域。