硅碳负极迎放量 道氏技术多孔碳布局受关注

硅碳负极2025年或迎放量，道氏技术布局多孔碳自制。硅碳负极因高能量密度在手机及动力电池领域加速渗透，CVD法突破膨胀率瓶颈，但成本高昂制约普及。道氏技术通过多孔碳自制提升供应链控制力，但需关注行业降本进展。