道氏技术新一代硅碳负极完成小样制备 加速产业化

道氏技术9月12日公告称，公司最新一代硅碳负极直接将单壁包覆在硅碳颗粒表面，可进一步实现性能提升。该产品优势包括：单壁碳纳米管包覆能形成稳定导电网络，降低应用成本，助力动力等领域应用；同时可约束硅基材料体积膨胀，提升电池循环性能。目前已完成小样制备，正在加速研发与产业化进度。