【经营】道氏技术披露单壁碳纳米管关键指标达国际头部水平

09月22日早间，有投资者在互动平台向道氏技术提问公司单壁碳纳米管的纯度水平。公司回复称，自研单壁碳纳米管粉体的纯度、比表面积、G/D值等关键指标已达到国际头部企业同类产品水平，部分指标实现超越，可满足高端应用领域对材料纯度的严苛要求。

公司披露其单壁碳纳米管直径0.8-2.2nm、长度＞50um、G/D≥80、比表面积≥1200㎡/g、纯度≥99%，重点应用于硅碳负极、石墨负极、三元正极和磷酸铁锂正极，并指出单壁碳纳米管是适配硅碳负极、高压快充、储能厚电极及固态电池场景的高端核心导电材料。