捷捷微电豪掷2.72亿押注功率半导体，多技术突破剑指行业制高点

捷捷微电2024年度业绩说明会宣布，公司计划每年研发投入不低于营收8%，2024年研发投入2.72亿元，重点布局SGT MOS、SJ MOS、IGBT、SiC/GaN器件等高端功率半导体领域。通过与中科院等机构的产学研合作，已实现硅基IGBT、SiC肖特基二极管等核心技术突破，加速产品结构升级和市场拓展，巩固IDM模式下的全产业链优势。