聚灿光电GaN外延技术获突破 良率效率双升

2025年上半年，聚灿光电在氮化镓外延技术上取得进展，开发出SiO₂/Al₂O₃复合衬底外延生长技术，突破新型衬底基板性能和良率瓶颈并实现大规模量产；新增高色域光源开发方案，成功研发双波长和三波长外延层结构以满足高品质光源需求；同时通过优化外延层程序窗口、深挖良率损失细节，实现良率提升与生产效率提高，为Mini/Micro LED等高端显示场景提供优质外延片支持。