捷佳伟创联合高校突破TCO薄膜技术瓶颈

捷佳伟创近日联合中山大学材料学院成功攻克透明导电氧化物（TCO）薄膜技术瓶颈，提出“临界成核策略”，制备出高电子迁移率的超薄铈掺杂氧化铟（ICO）薄膜。该技术通过控制初始成核状态及后处理，使30nm、20nm和10nm厚度的ICO薄膜电子迁移率分别达到127cm²·V⁻¹s⁻¹、119cm²·V⁻¹s⁻¹和108cm²·V⁻¹s⁻¹，为传统固相结晶法制备的同等厚度薄膜的两倍以上。将10nm厚度ICO薄膜应用于硅异质结太阳电池时，光电转换效率与传统厚度TCO参考电池相当，但正面铟消耗量减少90%，展现出在可持续光伏及其他光电领域的潜力。研究成果已发表于国际顶级材料期刊《Advanced Materials》，并获国家重点研发计划等多个项目支持。未来公司将深化与高校及科研机构合作，加速推动相关技术在异质结、钙钛矿等高效电池中的应用。