广立微新专利突破半导体良率瓶颈，技术护城河再加固

广立微（上海）技术有限公司申请了一项名为‘监测半导体器件性能的方法、测试结构及测试系统’的专利。该专利通过在硅片上形成不同测试单元，利用激光退火工艺评估电性参数，以优化半导体器件性能和良率，降低生产成本。公司成立于2022年，注册资本1亿人民币，目前拥有9项专利和4个行政许可。