瑞纳智能半导体研发取得阶段性成果，设备良率提升

瑞纳智能在7月22日投资者问答中披露，公司半导体业务研发取得阶段性成果。材料研发方面，已完成8英寸碳化硅衬底长晶技术工艺优化，新设备电阻式双温区长晶炉投入使用，碳化硅粉料通过检测并批量使用。设备研发方面，2台长晶炉稳定投产，1台籽晶热压键合炉投产后良率显著提升，预压设备改进保证了贴合完整性。