士兰微：杭州士兰微电子股份有限公司SiC项目进展公告

杭州士兰微电子股份有限公司宣布其SiC项目取得显著进展，包括士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片生产线已达到月产9,000片的能力，并且基于自主研发的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块已累计出货5万只。此外，公司已完成第Ⅳ代平面栅SiC-MOSFET技术的开发，并计划于2025年上量。士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片生产线也已实现通线，预计2025年四季度全面通线并试生产。公司将继续加大在第三代化合物半导体等领域的投入，积极拓展中高端市场。