士兰微清纯宣布联手：目标8吋、沟槽SiC MOS

清纯半导体与士兰微电子在杭州举行2024年终总结会，回顾了过去一年的合作情况，并规划了2025年在碳化硅领域的合作方向。双方将共同开发新一代碳化硅器件，并推动第二代SiC MOSFET的量产。士兰微电子将为清纯半导体提供充足的产能保障，其建设中的8吋碳化硅量产线将为清纯半导体提供独家代工服务。此外，士兰微电子子公司士兰集宏的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线预计2026年一季度试生产。双方的合作始于2023年4月，当时清纯半导体完成数亿元A轮融资，士兰微及其战略基金参与领投。