【经营】士兰微推出新一代80V SGT LVMOS 适配AI服务器等高景气场景
2026-08-27
士兰微依托自研先进屏蔽栅沟槽SGT G3+工艺平台,推出两颗新一代80V N沟道功率MOSFET。两款器件导通电阻、栅极电荷等核心参数优于上一代产品,其中双面散热款热阻较同规格标准封装降低约66%,可有效降低系统发热与功耗。产品高度适配AI服务器电源、人形机器人等高景气应用场景,有助于公司拓展相关赛道市场。
点此打开小程序免费查看完整AI分析结果
点此打开小程序
重要提示和声明
本页面内容由AI生成,不保证完全真实、准确或完整,不代表希财舆情宝官方立场,不构成任何投资建议。查看详细说明,请点击此处
订阅榜