存储芯片超级周期启动，长电科技迎技术突破机遇

存储芯片进入超级周期，AI需求推动高带宽内存（HBM）及先进封装技术发展。3D NAND技术提升国产设备验证速度，先进封装本土化降低生产成本。长电科技作为封测龙头，受益于先进封装技术突破和国产替代进程加速。存储芯片价格预计Q3上涨10%-15%，智能汽车、AI算力等下游需求增长，国产化产线计划2025年下半年试产，设备材料国产化率显著提升。