【观点】HBM5转向2nm GAA,长电科技封装受益但风险并存
DEEPTOPIC · 深度研究
2026-07-28
三星确认HBM5将采用2纳米GAA工艺,标志着HBM竞争从堆叠层数转向制程能力。
三星IDM模式与SK海力士+台积电路线对决。
长电科技XDFOI封装已稳定量产HBM,但需注意量产时间远及良率不确定性。
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