【经营】高深宽比TSV技术研发获重要进展并完成样品试制

证券时报网 2026-08-19

长电科技于8月19日宣布，公司在面向2.5D/3D先进封装的高深宽比TSV（硅通孔）技术研发方面取得重要进展，并与合作伙伴完成样品试制。该技术旨在增强公司在微系统集成平台中的关键底层工艺能力，为高算力、高存力芯片的系统级集成提供支撑。

**此次技术突破直接强化了公司在高端先进封装领域的核心竞争力，特别是在应对未来芯片系统级集成的技术挑战上。**

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