三安光电受益磷化铟技术突破国产光芯片竞争力提升

九峰山实验室近日在磷化铟材料领域取得技术突破，成功开发6英寸磷化铟基探测器和激光器工艺，关键性能达国际领先水平。该成果实现国产化协同应用，推动光电子器件产业化。三安光电作为化合物半导体龙头，核心业务包含磷化铟外延片及芯片研发生产。磷化铟市场规模预计2027年达56亿美元，6英寸工艺可使国产光芯片成本降至3英寸工艺的60%-70%，将增强市场竞争力。