【观点】SiC材料或成破解先进封装瓶颈关键
2026-04-13
TSMC明确下一代CoWoS先进封装将向大尺寸、高HBM堆叠、高热流密度方向演进,以匹配AI算力需求。
然而,技术迭代使得热管理与翘曲控制成为规模化量产的核心瓶颈,直接影响封装良率与成本。
文章分析认为,SiC材料凭借高热导率等特性,有望成为破解上述瓶颈的关键材料,并渐进式导入CoWoS封装体系。
最后,文中将三安光电列为SiC衬底及设备的相关投资标的之一。
然而,技术迭代使得热管理与翘曲控制成为规模化量产的核心瓶颈,直接影响封装良率与成本。
文章分析认为,SiC材料凭借高热导率等特性,有望成为破解上述瓶颈的关键材料,并渐进式导入CoWoS封装体系。
最后,文中将三安光电列为SiC衬底及设备的相关投资标的之一。
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