珠海：重点发展8英寸、12英寸硅片等新一代化合物半导体衬底材料及外延片

珠海市工业和信息化局发布《珠海市电子化学品产业发展三年行动方案2025—2027年征求意见稿》，提出重点发展8英寸、12英寸硅片，碳化硅、氮化镓、磷化铟等新一代化合物半导体材料，并前瞻布局第四代半导体材料如氧化镓、锑化镓、锑化铟。此外，还将重点发展多种光掩模版技术。