中国移动自主研发高速光芯片成果获国际顶级期刊认可

中国移动研究院成功自主研发首款新结构硅基外腔混合集成光源芯片，该芯片本征线宽达34.2Hz，较现有产品降低三个量级，为下一代T比特级光传输系统提供解决方案。研究成果被顶级期刊Photonics Research录用。该芯片通过新型外腔结构、多波段增益耦合、超低损耗谐振腔等技术创新，实现调谐范围提升100%、线宽缩减千分之一的突破。芯片实现全链条自主可控，面积缩减90%，具备产品化前景。该项目历时三年完成两次流片和七次验证，为中国移动把控下一代光传输技术奠定基础。