【市场】第三代半导体新增氮化镓细分方向

同花顺iNews发布概念细分更新，第三代半导体板块新增氮化镓（GaN）细分方向。文中指出，氮化镓是宽禁带第三代半导体材料，具备高击穿场强、高电子迁移率等特性，产业链覆盖衬底、芯片、器件及模块，下游应用广泛。报道同步列出了该细分方向下的相关成分股及关联理由。其中提及斯达半导（603290）于2025年8月28日公告称，其车规级GaN驱动模块已获主电机控制器平台定点，预计2026年进入装车应用。