兆易创新多业务线增长良好 存储及MCU业务前景可期

兆易创新2024年二季度各业务线增长情况良好，NOR Flash高个位数增长，利基型DRAM增长超50%，MCU接近20%，模拟芯片基数低环比成长较高，传感器芯片增长约10%。预计第三季度环比增长，全年需求上涨，利基型DRAM供应偏紧缺至全年，下半年营收显著增长，合约价格上涨，第三季度继续上涨。公司毛利率整体平稳，未来Flash温和涨价，DRAM毛利率提升，整体毛利率保持稳定。NOR Flash需求端电子产品代码量上升，供应端晶圆制造产能紧张，供给短缺将持续较长时间。看好定制化存储技术在产品性能的优势，未来更多行业和客户选择该方案，具备先发优势和技术迭代。MCU增长点在工业控制、光储充、白电等高门槛国产化替代方向，新产品收入贡献提升。DDR4 8Gb收入贡献全年有望达DRAM收入三分之一，LPDDR4小容量产品全年收入占比可能提升到两位数。公司研发投入大，市场空间弹性大，目标是实现与标准接口利基存储可比的营收规模。具备先发优势和与战略供应商的良好关系，确保产能和制程优势。利基市场稳定，头部厂商减产带来增长机会，规划LPDDR5产品线，预计两年内推出。看好汽车MCU市场，推出多核产品，AI MCU应用于AI场景、AI算法搭载、内部集成NPU。45nm NOR Flash产能爬坡，预计年底收入贡献15%，2026年补齐产品线，成本显著优势，芯片面积缩减20%。