兆易创新3D DRAM技术突破 性能接近HBM2E

2025-09-25
兆
兆易创新
正面买入
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兆易创新自研3D DRAM堆叠产品采用15/17nm制程，性能优于台资25nm方案，功耗降低约一半，传输带宽达500GB/s接近HBM2E级别，已送样八层堆叠20GB容量产品，具备先发优势有望受益定制化存储产业浪潮。
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