存储芯片涨价潮下 兆易创新多业务协同迎机遇

全球存储芯片三巨头（美光科技、三星电子、SK海力士）因优先生产HBM导致传统DRAM产能缩减，叠加AI及消费电子需求增长，推动DRAM价格飙升，9月DDR4现货价格环比涨31%、DDR5涨28%。兆易创新凭借“NOR Flash为地基、利基型DRAM为增长极、SLC NAND为补充”的产品体系，精准卡位国际大厂退出的细分领域。其NOR Flash全球市占率2024年达18.5%位列第二，利基型DRAM市占率1.7%排名第七，2024年营收73.56亿元（同比+28%），净利润11.03亿元（同比+584%），2025年上半年营收41.5亿元（同比+15%）、净利润5.75亿元（同比+11%）。公司持续加大研发投入，2024年研发费用11.22亿元（研发费用率17.08%），利基型DRAM已量产出货DDR4 8Gb，LPDDR4预计2025年下半年贡献收入。MCU业务快速增长，2025年上半年营收9.59亿元（占总营收23.11%），车规级MCU进入比亚迪等主流车企供应链，自研LPDDR5X存储芯片通过车规认证并预计2025年第四季度量产，与存储业务形成协同效应。