功率半导体技术革新成市场主导关键

功率半导体材料中碳化硅（SiC）在高压、高频性能上显著优于硅（Si），能同时实现高耐压、低导通电阻和高频特性。功率半导体器件技术迭代周期约二十年，国内厂商需通过技术创新突破制造工艺和封装等壁垒，以提升市场竞争力。行业分析指出，技术方案创新是企业主导市场的关键因素。