立昂微氮化镓芯片下半年量产 射频技术助力卫星应用

立昂微在投资者问答中透露，其子公司立昂东芯已完成6英寸碳化硅基氮化镓GaN HEMT工艺技术开发，预计2025年下半年量产出货。12英寸硅片产能方面，公司目前仅推进现有可转债募投项目和嘉兴新项目，暂无新增扩产计划。射频芯片方面，立昂东芯的pHEMT工艺技术已应用于国产低轨卫星千帆星座，是国内唯一能提供双0.15ED工艺的代工线，产品还供应给H公司用于射频和FRD芯片，具体终端应用由客户决定。