存储芯片周期启动 澜起科技迎国产替代机遇

存储芯片行业进入超级周期，受AI需求增长及大厂减产影响，NAND和DRAM供需趋紧，预计三季度合约价涨10%-15%。国产替代加速，28nm光刻机量产，3D NAND产线验证推进，国产设备材料国产化率提升。澜起科技作为存储芯片相关企业，受益于国产替代进程和技术迭代带来的HBM、先进封装等需求增长，同时第三代半导体在新能源汽车和5G领域应用扩大。行业结构性需求爆发，政策支持与技术突破或推动公司业绩改善。