中微公司刻蚀精度突破亚埃级！5纳米芯片制造再添利器

中微公司宣布其Primo Twin-Star ICP双反应台刻蚀机在等离子体刻蚀技术上取得重大突破，反应台之间刻蚀精度达到0.2A亚埃级，相当于硅原子直径的十分之一，是头发丝直径的500万分之一。该技术在氧化硅、氮化硅和多晶硅等材料刻蚀工艺中得到验证。目前，其Primo D-RIE及下一代产品Primo AD-RIE在逻辑芯片产线的量产反应台已超2000台，其中近600台用于国际先进逻辑产线，部分设备已应用于5纳米及更先进制程量产。