中微公司刻蚀机精度突破亚埃级！半导体设备再迎技术里程碑

中微公司宣布其ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star在气体控制精度上实现突破，反应台间刻蚀精度达到亚埃级（0.2埃），相当于硅原子直径的十分之一。该技术在氧化硅、氮化硅及多晶硅薄膜刻蚀工艺中验证有效，200片硅片重复性实验中反应台速度差异不超过0.09%。此外，其CCP双台机Primo D-RIE和Primo AD-RIE也达到同等精度，千片级测试中速度差小于1纳米。