中微刻蚀精度突破亚埃级！国产半导体设备集体亮剑SEMICON

在SEMICON China大会上，中微公司展示了等离子刻蚀技术的重大突破，其ICPP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star的刻蚀精度达到亚埃级，适用于多种薄膜工艺。同时发布12英寸晶圆边缘刻蚀设备Primo Halona，采用双反应台设计提升生产效率。国产设备整体呈现平台化布局完善、新品加速推出及零部件国产化进程加快的趋势，中微作为刻蚀设备龙头受益明显。