存储芯片周期启动利好中微公司设备业务

存储芯片进入超级周期，AI需求推动高带宽内存（HBM）及先进封装技术发展，3D NAND技术提升国产设备验证进程。国产替代加速，中微公司所在的刻蚀、沉积环节已实现基本国产化，全国产化产线将于2025年下半年试产。大基金三期聚焦设备材料领域，政策支持推动产业整合。存储芯片价格预计三季度上涨10%-15%，AI算力、存储国产化等方向带来订单机会。