【观点】PPPL二维半导体突破利好中微公司，等离子体设备边际受益最大

一篇深度研究指出，普林斯顿PPPL实验室在6月22日发表了一项二维半导体（MoS₂）接触工程突破，利用氧/氟等离子体将接触电阻降低5-10倍，且该方法可使用现有芯片厂标配的等离子体设备，无需新产线投资。中微公司作为国内唯一进入台积电5nm产线的CCP刻蚀设备商，等离子体设备是其核心产品，有望率先受益于这一新材料量产趋势。文章认为，未来12-18个月产业界将给出验证结果，中微公司的设备能力可直接延伸至二维材料加工，边际成本极低。