【观点】三星HBM5采用2nm GAA,中微公司设备布局受益
DEEPTOPIC · 深度研究
2026-07-28
三星HBM5将采用2纳米GAA工艺,速度较HBM4E提升50%以上,标志着HBM竞争从堆叠层数转向制程能力。
中微公司作为全面布局HBM用刻蚀/CVD/PVD/TSV设备的厂商,有望受益于产业链提前启动。
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