三星将采用长江存储专利技术用于下一代V10 NAND产品

三星与长江存储达成3D NAND混合键合技术专利许可协议，从第十代V—NAND（V10）开始采用长江存储的专利技术。三星计划于2025年下半年量产下一代V10 NAND产品，堆叠层数预计达到420至430层，并引入晶圆到晶圆（W2W）混合键合技术以提升性能和散热能力。