存储芯片超级周期启动 半导体国产替代加速

存储芯片进入超级周期，全球内存市场预计2024年增长75.5%，国产3D NAND技术加速验证，先进封装和第三代半导体技术突破降低成本。AI算力需求推动NOR Flash和存算一体芯片发展，国产设备材料在光刻、刻蚀等环节取得进展，28nm光刻机量产，200层3D NAND产线验证中。大基金三期聚焦设备材料，政策支持产业链整合，海光信息作为半导体关联个股受益于国产替代和技术迭代趋势。