磷化铟技术突破推动国产光芯片降本增效，长光华芯等企业迎发展良机

湖北九峰山实验室成功研发6英寸磷化铟基探测器和激光器外延生长工艺，突破大尺寸制备瓶颈，关键指标达国际领先水平。该技术将推动国产光芯片成本降至3英寸工艺的60%-70%，加速国产替代进程。磷化铟作为光通信、激光雷达等领域的核心材料，市场规模预计2027年达56亿美元。A股相关公司包括长光华芯等，云南锗业作为合作方已掌握量产技术，其磷化铟晶片产能逐步扩大，上半年业绩扭亏为盈。