磷化铟突破助长光华芯受益

九峰山实验室于8月19日在磷化铟材料领域取得重大技术突破，成功开发出6英寸磷化铟外延生长工艺，解决了大尺寸制备瓶颈，实现关键性能指标国际领先水平，为光芯片规模化量产奠定基础，利好长光华芯等磷化铟产业链公司未来业务发展。