长光华芯发布200G EML芯片 填补国内空白
2025-09-01
长光华芯发布的200G EML芯片,通过优化InGaAsP多量子阱带隙,在25°C至70°C工作温度范围内保持性能稳定,填补了国内高速EML芯片的空白。
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